16.03.01«Техническая физика»

16.03.01_11 «Полупроводниковая фотоника и наноэлектроника»

Русский

Исследования в области полупроводниковой фотоники и наноэлектроники дают ключ к инновационному решению проблем современной физики, посвященных созданию новых приборов электроники XXI века. Спектроскопия, космические исследования, мониторинг атмосферы, системы безопасности, неинвазивная диагностика и терапия в биологии и медицине – в современном высокотехнологичном цифровом мире области применения полупроводниковых приборов не имеют границ. Наши выпускники занимаются исследованиями, моделированием, разработкой, производством и эксплуатацией полупроводниковых структур и приборов оптоэлектроники, микро- и наноэлектроники, владеют методами экспериментального и теоретического исследования физических процессов, протекающих в этих структурах и приборах.

Особое внимание в программе уделяется современным терагерцовым и инфракрасным лазерам, детекторам, модуляторам излучения на основе полупроводниковых наноструктур с квантовыми ямами и квантовыми точками. Излучение терагерцового диапазона расположено между "оптическими" и "радиочастотными" длинами волн и не оказывает вредного влияния на организм человека. Создание эффективных источников терагерцового излучения - это актуальная и важная задача, поскольку ни "оптический", ни "радиочастотный" подходы к генерации излучения не могут быть здесь использованы в полной мере. Одна из целей программы – подготовка высокопрофессиональных специалистов мирового уровня, способных ответить на вызовы современного научно-технологического развития, готовых к созданию и работе с новыми приборами терагерцовой фотоники, которых сейчас не хватает в различных областях науки и техники (физика, химия, биология, медицина, телекоммуникации и связь).

Ключевые особенности:

· Фундаментальная физико-математическая подготовка

· Научно-исследовательская и производственная практика студентов в ведущих академических институтах и промышленных компаниях

· Участие в грантах для научных исследований, повышенные стипендии по результатам личных научных достижений

· Возможность получить дополнительные стипендии и стажировки в зарубежных университетах

· Современное исследовательское и технологическое оборудование

· Передовые разработки отечественной и мировой наноэлектроники

Варианты обучения:

Очное

бюджет, контракт

  • инженер-физик
  • инженер-электроник
  • инженер-исследователь
  • инженер-технолог по производству изделий микроэлектроники
  • научный работник
  • Исследование характеристик квантово-каскадных лазеров в инфракрасном диапазоне
  • Терагерцовая электролюминесценция в гетероструктурах GaN/AlGaN
  • Исследование порфириновых структур с помощью сканирующего туннельного микроскопа
  • Оптическое возбуждение поверхностных магнитостатических волн в тонких пленках галфенола
  • Фотопроводимость в гетероструктуре с квантовыми ямами p-GaAs/AlGaAs
  • Электронный транспорт в нормальной фазе в сверхпроводниках на основе железа
  • Исследование доноров азота в кристаллах карбида кремния методом высокочастотного электронного парамагнитного резонанса
  • Терагерцовая экситонная фотолюминесценция в кремнии
  • Газовый сенсор для анализа выдыхаемого воздуха и диагностики онкологических заболеваний легких, созданный на основе полупроводниковой структуры
  • Температурные сенсоры на базе многослойных тонкопленочных наноструктур
  • Исследование электрических свойств тонких фуллереновых пленок методом импедансометрии
  • Магнитодиэлектрический эффект в фторидах и оксидах кобальта
  • Определение влияния диссипативных факторов на основные параметры микромеханических гироскопов
  • Исследование эффектов намагничивания методом электронного спинового резонанса в Si:Р, компенсированном радиационными дефектами
  • Оптические явления в III-N наноструктурах в терагерцовом спектральном диапазоне
  • Терагерцовая люминесценция в легированных квантовых ямах GaAs/AlGaAs при оптической межзонной накачке
  • Взаимодействие терагерцового излучения с поверхностными плазмон-поляритонами в микроструктурах на основе GaAs
  • Оптические явления в квантовых ямах с локализованными и резонансными состояниями акцепторов
  • Увлечение света током электронов в квантовых ямах
  • Исследование электрических характеристик пленок фуллеренов С60 в сильных электрических полях
  • Влияние гамма-излучения на тонкие нанокомпозитные пленки
  • Оптика неравновесных носителей
  • Физика высокотемпературных сверхпроводников
  • Туннельная спектроскопия и сканирующая туннельная микроскопия
  • Фоточувствительные пленки и структуры
  • Органические нанокомпозитные материалы на основе фуллеренов
  • Коллоидные нанокристаллы (квантовые точки)

Винниченко Максим Яковлевич

Руководитель программы